|
|
|
ウェットエッチングでは困難だった、MEMSデバイス等の極小ギャップを持つ構造体の形成を可能にした犠牲層エッチング装置です。シリコン酸化膜／多結晶シリコン膜などの犠牲層エッチングに対し、ドライエッチングならではのダメージレス処理を実現しました。またマルチチャンバ方式により、エッチングから撥水性コーティングまでの連続処理を実現。さらにクラスター構造とすることでメンテナンス性を向上させ、システムの拡張も容易になりました。
|
| |
 |
シリコン酸化膜／多結晶シリコン膜エッチング
独自のエッチングガス制御を用いた犠牲層アンダーカットにより、微小構造体を無負荷・無歪・高再現性 で形成・分離することが可能になりました。SiO2犠牲層膜（HF系混合ガス使用）およびPoly-Si犠牲層膜（XeF2ガス使用）の等方性エッチング処理に対応しています。
オールドライ処理
トリクロロシラン系混合ガスによる有機ケイ素化合物を用いた撥水性コーティング処理機能を装備し、構造体のリリース後に発生するスティッキングを防止します。これによってエッチング後の洗浄・乾燥工程が不要になり、マイクロセンサの高感度化などに必要な低剛性構造体などの形成に有効です。 |
 |
| |
仕様 |
|
対応基板 |
|
φ6〜8インチ |
|
| |
搬送方式 |
|
25枚カセット対応、3軸ロボット搬送、処理後ウェハ原位置戻し |
|
| |
エッチング温度 |
|
30〜100℃ |
|
| |
ガス系 |
|
HF他5系統 |
|
| |
標準寸法 |
|
2,556(w)×2,230(D)×1,550(H)
*3処理チャンバ構成時 |
|
| |
質量 |
|
約1,800kg |
|
|
|
